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文献
J-GLOBAL ID:201502209276514454   整理番号:15A1070414

ハイサイド応用のための浅トレンチアイソレーションをもつn型横DMOSトランジスタのホットキャリア誘起オン抵抗劣化

Hot-Carrier-Induced On-Resistance Degradation of n-Type Lateral DMOS Transistor With Shallow Trench Isolation for High-Side Application
著者 (8件):
SUN Weifeng
(Southeast Univ., Nanjing, CHN)
ZHANG Chunwei
(Southeast Univ., Nanjing, CHN)
LIU Siyang
(Southeast Univ., Nanjing, CHN)
SHI Longxing
(Southeast Univ., Nanjing, CHN)
SU Wei
(CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN)
ZHANG Aijun
(CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN)
WANG Shaorong
(CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN)
MA Shulang
(CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN)

資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)

巻: 15  号:ページ: 458-460  発行年: 2015年09月 
JST資料番号: W1320A  ISSN: 1530-4388  CODEN: ITDMA2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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