文献
J-GLOBAL ID:201502209276514454
整理番号:15A1070414
ハイサイド応用のための浅トレンチアイソレーションをもつn型横DMOSトランジスタのホットキャリア誘起オン抵抗劣化
Hot-Carrier-Induced On-Resistance Degradation of n-Type Lateral DMOS Transistor With Shallow Trench Isolation for High-Side Application
著者 (8件):
SUN Weifeng
(Southeast Univ., Nanjing, CHN)
,
ZHANG Chunwei
(Southeast Univ., Nanjing, CHN)
,
LIU Siyang
(Southeast Univ., Nanjing, CHN)
,
SHI Longxing
(Southeast Univ., Nanjing, CHN)
,
SU Wei
(CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN)
,
ZHANG Aijun
(CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN)
,
WANG Shaorong
(CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN)
,
MA Shulang
(CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN)
資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻:
15
号:
3
ページ:
458-460
発行年:
2015年09月
JST資料番号:
W1320A
ISSN:
1530-4388
CODEN:
ITDMA2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)