文献
J-GLOBAL ID:201502209407283429
整理番号:15A1070396
ナノスケールNANDフラッシュメモリに関する固有電荷損失機構の分析
Analysis of Intrinsic Charge Loss Mechanisms for Nanoscale NAND Flash Memory
著者 (7件):
LIM Jun Yeong
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
MOON Pyung
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Sang Myung
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
NOH Keum-Whan
(SK Hynix Semiconductor Inc., Chungcheongbuk, KOR)
,
YOUN Tae-Un
(SK Hynix Semiconductor Inc., Chungcheongbuk, KOR)
,
KIM Jong-Wook
(SK Hynix Semiconductor Inc., Chungcheongbuk, KOR)
,
YUN Ilgu
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻:
15
号:
3
ページ:
319-325
発行年:
2015年09月
JST資料番号:
W1320A
ISSN:
1530-4388
CODEN:
ITDMA2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)