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文献
J-GLOBAL ID：201502209457325505
整理番号：15A1004945
原子層堆積により蒸着したAl2O3/La2O3/InGaAsゲート積層体のInGaAs金属-酸化物-半導体界面特性に及ぼすLa2O3界面層の効果
Impact of La2O3 interfacial layers on InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties in Al2O3/La2O3/InGaAs gate stacks deposited by atomic-layer-deposition
CHANG C.-y.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0032, JPN)
,
ICHIKAWA O.
(JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN)
,
OSADA T.
(JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN)
,
HATA M.
(JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN)
,
YAMADA H.
(JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN)
,
TAKENAKA M.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0032, JPN)
,
TAKAGI S.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0032, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 118 号： 8 ページ： 085309-085309-7 発行年： 2015年08月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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