文献
J-GLOBAL ID:201502209457325505
整理番号:15A1004945
原子層堆積により蒸着したAl2O3/La2O3/InGaAsゲート積層体のInGaAs金属-酸化物-半導体界面特性に及ぼすLa2O3界面層の効果
Impact of La2O3 interfacial layers on InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties in Al2O3/La2O3/InGaAs gate stacks deposited by atomic-layer-deposition
著者 (7件):
CHANG C.-y.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0032, JPN)
,
ICHIKAWA O.
(JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN)
,
OSADA T.
(JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN)
,
HATA M.
(JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN)
,
YAMADA H.
(JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN)
,
TAKENAKA M.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0032, JPN)
,
TAKAGI S.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0032, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
118
号:
8
ページ:
085309-085309-7
発行年:
2015年08月28日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)