文献
J-GLOBAL ID:201502209493024392
整理番号:15A1035852
アモルファス酸化バナジウム薄膜に基づく高感度17μmピクセルピッチ640×512非冷却赤外焦点面アレイ
High Sensitivity 17μm Pixel Pitch 640×512 Uncooled Infrared Focal Plane Arrays Based on Amorphous Vanadium Oxide Thin Films
著者 (7件):
WANG P.
(Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN)
,
CHEN S.
(Shenzhen Inst. Advanced Technol., Chinese Acad. Sci., Shenzhen, CHN)
,
GAN X.
(Yantai IRay Technol. Co., Ltd., Yantai, CHN)
,
SUN R.
(Yantai IRay Technol. Co., Ltd., Yantai, CHN)
,
CHEN W.
(Yantai IRay Technol. Co., Ltd., Yantai, CHN)
,
YANG S.
(Yantai IRay Technol. Co., Ltd., Yantai, CHN)
,
WANG H.
(Yantai IRay Technol. Co., Ltd., Yantai, CHN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
36
号:
9
ページ:
923-925
発行年:
2015年09月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)