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文献
J-GLOBAL ID:201502209509804733   整理番号:15A0768139

シリコンを越えたパワースイッチング応用:SiCとGaNの素子の現状と将来展望

Power-switching applications beyond silicon: Status and future prospects of SiC and GaN devices
著者 (4件):
DIMITRIJEV Sima
(Griffith Univ., AUS)
HAN Jisheng
(Griffith Univ., AUS)
MOGHADAM Hamid Amini
(Griffith Univ., AUS)
AMINBEIDOKHTI Amirhossein
(Griffith Univ., AUS)

資料名:
MRS Bulletin  (MRS Bulletin)

巻: 40  号:ページ: 399-405  発行年: 2015年05月 
JST資料番号: W1595A  ISSN: 0883-7694  CODEN: MRSBEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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