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文献

J-GLOBAL ID：201502209509804733 整理番号：15A0768139

シリコンを越えたパワースイッチング応用:SiCとGaNの素子の現状と将来展望

Power-switching applications beyond silicon: Status and future prospects of SiC and GaN devices

著者 (4件)：

DIMITRIJEV Sima

(Griffith Univ., AUS)

HAN Jisheng

(Griffith Univ., AUS)

MOGHADAM Hamid Amini

(Griffith Univ., AUS)

AMINBEIDOKHTI Amirhossein

(Griffith Univ., AUS)

資料名：

MRS Bulletin (MRS Bulletin)

巻： 40 号： 5 ページ： 399-405 発行年： 2015年05月
JST資料番号： W1595A ISSN： 0883-7694 CODEN： MRSBEA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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