文献
J-GLOBAL ID:201502209703642884
整理番号:15A1085274
ゲルマニウム上絶縁体に基づく接合の無いナノワイヤトランジスタ
Leakage current of germanium-on-insulator-based junctionless nanowire transistors
著者 (5件):
SUN Chuanchuan
(Tsinghua National Lab. for Information Sci. and Technol., Inst. of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
,
LIANG Renrong
(Tsinghua National Lab. for Information Sci. and Technol., Inst. of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
,
LIU Libin
(Tsinghua National Lab. for Information Sci. and Technol., Inst. of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
,
WANG Jing
(Tsinghua National Lab. for Information Sci. and Technol., Inst. of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
,
XU Jun
(Tsinghua National Lab. for Information Sci. and Technol., Inst. of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
107
号:
13
ページ:
132105-132105-4
発行年:
2015年09月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)