文献
J-GLOBAL ID:201502210342172002
整理番号:15A0922329
誘電泳動接触により製作した低漏れ電流ZnOナノワイヤSchottkyフォトダイオード
Low Leakage Current ZnO Nanowire Schottky Photodiodes Built by Dielectrophoretic Contact
著者 (5件):
PAU Jose Luis
(Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP)
,
WATERS Joseph
(Univ. Alabama, AL, USA)
,
RIVERA Elmer
(Univ. Alabama, AL, USA)
,
KIM Seongsin M.
(Univ. Alabama, AL, USA)
,
KUNG Patrick
(Univ. Alabama, AL, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
36
号:
8
ページ:
814-816
発行年:
2015年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)