文献
J-GLOBAL ID:201502210449692068
整理番号:15A0907824
多孔性低誘電率材料上の原子層蒸着HfO2保護層の電気特性と信頼性特性
Electrical and Reliability Performance of Atomic Layer Deposition HfO2 Capping Layer on Porous Low Dielectric Constant Materials
著者 (4件):
KAO Kai-Chieh
(National Chi-Nan Univ., Nan-Tou, TWN)
,
HUANG Chi-Jia
(National Chi-Nan Univ., Nan-Tou, TWN)
,
WU Chang-Sian
(National Chi-Nan Univ., Nan-Tou, TWN)
,
CHENG Yi-Lung
(National Chi-Nan Univ., Nan-Tou, TWN)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
2015 Vol.2
ページ:
629-632
発行年:
2015年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)