文献
J-GLOBAL ID:201502210533609702
整理番号:15A0804354
高濃度ホウ素ドープシリコンのシリコン自己格子間放出による歪開放 酸素析出のX線散漫散乱研究
Strain relief via silicon self-interstitial emission in highly boron-doped silicon: A diffuse X-ray scattering study of oxygen precipitation
著者 (4件):
BERGMANN Christoph
(Chair for Crystallography and Structural Physics, FAU Erlangen-Nuremberg, Staudtstr. 3, 91058 Erlangen, DEU)
,
GROESCHEL Alexander
(Chair for Crystallography and Structural Physics, FAU Erlangen-Nuremberg, Staudtstr. 3, 91058 Erlangen, DEU)
,
WILL Johannes
(Chair for Crystallography and Structural Physics, FAU Erlangen-Nuremberg, Staudtstr. 3, 91058 Erlangen, DEU)
,
MAGERL Andreas
(Dep. of Biophysics, FAU Erlangen-Nuremberg, Staudtstr. 3, 91058 Erlangen, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
118
号:
1
ページ:
015707-015707-8
発行年:
2015年07月07日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)