文献
J-GLOBAL ID:201502210666984734
整理番号:15A0476971
2重ゲートFinFETにおけるホットキャリア注入下のFin幅とバックバイアスの効果
Impact of Fin Width and Back Bias Under Hot Carrier Injection on Double-Gate FinFETs
著者 (3件):
CHANG Wen-Teng
(National Univ. Kaohsiung, Kaohsiung, TWN)
,
CIN Li-Gong
(National Univ. Kaohsiung, Kaohsiung, TWN)
,
YEH Wen-Kuan
(National Univ. Kaohsiung, Taipei, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻:
15
号:
1
ページ:
86-89
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
W1320A
ISSN:
1530-4388
CODEN:
ITDMA2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)