文献
J-GLOBAL ID:201502210757711898
整理番号:15A1133774
分子線エピタクシーによるGaTexSe1-x/Siの垂直ヘテロ構造の可制御成長
Controllable Growth of Vertical Heterostructure GaTexSe1-x/Si by Molecular Beam Epitaxy
著者 (14件):
LIU Shanshan
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
YUAN Xiang
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
WANG Peng
(Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
CHEN Zhi-Gang
(Univ. Queensland, QLD, AUS)
,
TANG Lei
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHANG Enze
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHANG Cheng
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
LIU Yanwen
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
WANG Weiyi
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
LIU Cong
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
CHEN Chen
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
ZOU Jin
(Univ. Queensland, QLD, AUS)
,
HU Weida
(Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
XIU Faxian
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名:
ACS Nano
(ACS Nano)
巻:
9
号:
8
ページ:
8592-8598
発行年:
2015年08月
JST資料番号:
W2326A
ISSN:
1936-0851
CODEN:
ANCAC3
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)