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文献
J-GLOBAL ID:201502210757711898   整理番号:15A1133774

分子線エピタクシーによるGaTexSe1-x/Siの垂直ヘテロ構造の可制御成長

Controllable Growth of Vertical Heterostructure GaTexSe1-x/Si by Molecular Beam Epitaxy
著者 (14件):
LIU Shanshan
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
YUAN Xiang
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
WANG Peng
(Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
CHEN Zhi-Gang
(Univ. Queensland, QLD, AUS)
TANG Lei
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
ZHANG Enze
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
ZHANG Cheng
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
LIU Yanwen
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
WANG Weiyi
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
LIU Cong
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
CHEN Chen
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
ZOU Jin
(Univ. Queensland, QLD, AUS)
HU Weida
(Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
XIU Faxian
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)

資料名:
ACS Nano  (ACS Nano)

巻:号:ページ: 8592-8598  発行年: 2015年08月 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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