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文献
J-GLOBAL ID：201502210886958786
整理番号：15A1057945
InGaN/GaN青色発光ダイオードに対する340keVのプロトン照射の影響
Effects of 340 keV proton irradiation on InGaN/GaN blue light-emitting diodes
KIM Byung-jae
(Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
HWANG Ya-hsi
(Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
AHN Shihyun
(Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
REN Fan
(Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
PEARTON Stephen J.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
KIM Jihyun
(Dep. of Chemical and Biological Engineering, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR)
,
JANG Tae Sung
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do 446-711, KOR)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33 号： 5 ページ： 051215-051215-4 発行年： 2015年09月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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