文献
J-GLOBAL ID:201502210899623619
整理番号:15A1044108
p-GaNへの良好なオーミック接触形成によるn-ZnO/p-GaNヘテロ接合発光ダイオードの向上した性能特性
Enhanced performance characteristics of n-ZnO/p-GaN heterojunction light-emitting diodes by forming excellent Ohmic contact to p-GaN
著者 (2件):
JEONG Seonghoon
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Res. Center, Chonbuk National Univ., Jeonju ...)
,
KIM Hyunsoo
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Res. Center, Chonbuk National Univ., Jeonju ...)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
39
ページ:
771-774
発行年:
2015年11月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)