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文献
J-GLOBAL ID：201502210899623619
整理番号：15A1044108
p-GaNへの良好なオーミック接触形成によるn-ZnO/p-GaNヘテロ接合発光ダイオードの向上した性能特性
Enhanced performance characteristics of n-ZnO/p-GaN heterojunction light-emitting diodes by forming excellent Ohmic contact to p-GaN
JEONG Seonghoon
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Res. Center, Chonbuk National Univ., Jeonju ...)
,
KIM Hyunsoo
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Res. Center, Chonbuk National Univ., Jeonju ...)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 39 ページ： 771-774 発行年： 2015年11月
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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