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文献
J-GLOBAL ID：201502210942875333
整理番号：15A0774867
LiGaO2(100)基板に成長した非極性m面GaN発光ダイオードウェハの特性の研究
Investigation on the Properties of Nonpolar m-Plane GaN-Based Light-Emitting Diode Wafers Grown on LiGaO2(100) Substrates
YANG Weijia
(South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN)
,
WANG Wenliang
(South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN)
,
LIN Yunhao
(South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN)
,
LIU Zuolian
(South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN)
,
ZHOU Shizhong
(South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN)
,
QIAN Huirong
(South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN)
,
LI Guoqiang
(South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN)
,
LI Guoqiang
(South China Univ. of Technol., Dep. of Electronic Materials, School of Materials Sci. and Engineering, 510640 ...)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 44 号： 8 ページ： 2670-2678 発行年： 2015年08月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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