文献
J-GLOBAL ID:201502210979551007
整理番号:15A1172177
高性能ゾル-ゲルスピンコーティング二酸化チタン誘電体系MOS構造
High performance sol-gel spin-coated titanium dioxide dielectric based MOS structures
著者 (4件):
KUMAR Arvind
(Dep. of Physics, Indian Inst. of Sci., Bangalore, 560012, IND)
,
MONDAL Sandip
(Dep. of Physics, Indian Inst. of Sci., Bangalore, 560012, IND)
,
KUMAR S. Girish
(Dep. of Physics, Indian Inst. of Sci., Bangalore, 560012, IND)
,
KOTESWARA Rao K.S.R.
(Dep. of Physics, Indian Inst. of Sci., Bangalore, 560012, IND)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
40
ページ:
77-83
発行年:
2015年12月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)