文献
J-GLOBAL ID:201502211181342812
整理番号:15A0924192
超高解像度アクティブマトリクス液晶ディスプレイのための短チャネルアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタアレイ:電気的特性と安定性
Short channel amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor arrays for ultra-high definition active matrix liquid crystal displays: Electrical properties and stability
著者 (5件):
KIM Soo Chang
(Samsung Display, Chungnam, KOR)
,
KIM Soo Chang
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
KIM Young Sun
(Samsung Display, Chungnam, KOR)
,
YU Eric Kai-Hsiang
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
KANICKI Jerzy
(Univ. Michigan, MI, USA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
111
ページ:
67-75
発行年:
2015年09月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)