文献
J-GLOBAL ID:201502211210205706
整理番号:15A1135515
シリコン・カーバイド(SiC)パワー半導体が推進する省エネルギー
Energy Saving Driven by SiC Power Semiconductors
著者 (2件):
SATO Katsumi
(Mitsubishi Electric Corp.)
,
YAMADA Junji
(Mitsubishi Electric Corp.)
資料名:
Mitsubishi Electric Advance
(Mitsubishi Electric Advance)
巻:
151
ページ:
2-5
発行年:
2015年09月
JST資料番号:
Z0836A
ISSN:
1345-3041
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)