文献
J-GLOBAL ID:201502211215409865
整理番号:15A1004854
300Kから600KまでのGaN-SiC界面を通じた熱輸送
Thermal transport through GaN-SiC interfaces from 300 to 600 K
著者 (6件):
ZIADE Elbara
(Dep. of Mechanical Engineering, Boston Univ., Boston, Massachusetts 02215, USA)
,
YANG Jia
(Dep. of Mechanical Engineering, Boston Univ., Boston, Massachusetts 02215, USA)
,
BRUMMER Gordie
(Photonics Center, Boston Univ., Boston, Massachusetts 02215, USA)
,
NOTHERN Denis
(Photonics Center, Boston Univ., Boston, Massachusetts 02215, USA)
,
MOUSTAKAS Theodore
(Photonics Center, Boston Univ., Boston, Massachusetts 02215, USA)
,
SCHMIDT Aaron J.
(Dep. of Mechanical Engineering, Boston Univ., Boston, Massachusetts 02215, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
107
号:
9
ページ:
091605-091605-4
発行年:
2015年08月31日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)