文献
J-GLOBAL ID:201502211565526988
整理番号:15A0859607
InAs/AlAsSb量子ドットにおける歪補償効果の光ルミネセンス研究
Photoluminescence study of the effect of strain compensation on InAs/AlAsSb quantum dots
著者 (6件):
ZHAO Zhexin
(California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA)
,
LAGHUMAVARAPU Ramesh B.
(California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA)
,
SIMMONDS Paul J.
(California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA)
,
JI Haiming
(California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA)
,
LIANG Baolai
(California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA)
,
HUFFAKER Diana L.
(California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
425
ページ:
312-315
発行年:
2015年09月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)