文献
J-GLOBAL ID:201502211589909705
整理番号:15A1038537
Alをドープしたセリア薄膜におけるバイポーラとユニポーラの抵抗スイッチングの共存と不揮発性メモリへの応用
Coexistence of bipolar and unipolar resistive switching in Al-doped ceria thin films for non-volatile memory applications
著者 (5件):
ISMAIL Muhammad
(Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Multan, 60800, PAK)
,
AHMED Ejaz
(Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Multan, 60800, PAK)
,
RANA Anwar Manzoor
(Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Multan, 60800, PAK)
,
TALIB Ijaz
(Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Multan, 60800, PAK)
,
NADEEM Muhammad Younus
(Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Multan, 60800, PAK)
資料名:
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻:
646
ページ:
662-668
発行年:
2015年10月15日
JST資料番号:
D0083A
ISSN:
0925-8388
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)