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文献
J-GLOBAL ID：201502211631267513
整理番号：15A0562300
Si/SiO2基板上に支持された単層,数層WS2とMoS2の濡れ
Wetting of Mono and Few-Layered WS2 and MoS2 Films Supported on Si/SiO2 Substrates
CHOW Philippe K.
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
,
SINGH Eklavya
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
,
VIANA Bartolomeu Cruz
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA)
,
VIANA Bartolomeu Cruz
(Universidade Federal do Piaui, Piaui, BRA)
,
GAO Jian
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
,
LUO Jian
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
,
LI Jing
(City Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
,
LIN Zhong
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA)
,
ELIAS Ana L.
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA)
,
SHI Yunfeng
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
,
WANG Zuankai
(City Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
,
TERRONES Mauricio
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA)
,
KORATKAR Nikhil
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
,
KORATKAR Nikhil
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA)
資料名：
ACS Nano
(ACS Nano)
巻： 9 号： 3 ページ： 3023-3031 発行年： 2015年03月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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