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文献
J-GLOBAL ID：201502211781862193
整理番号：15A0581215
非照射6H-SiCナノ構造のシリコン空孔関連中心
Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure
BAGRAEV N. T.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
BAGRAEV N. T.
(State Polytechnical Univ., 195251, St. Petersburg, RUS)
,
DANILOVSKII E. Yu.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
GETS D. S.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
KALABUKHOVA E. N.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
,
KLYACHKIN L. E.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
KOUDRYAVTSEV A. A.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
MALYARENKO A. M.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
MASHKOV V. A.
(State Polytechnical Univ., 195251, St. Petersburg, RUS)
,
SAVCHENKO D. V.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
,
SAVCHENKO D. V.
(Acad. of Sciences of Czech Republic, Inst. of Physics, Praha, CZE)
,
SHANINA B. D.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 49 号： 5 ページ： 649-657 発行年： 2015年05月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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