文献
J-GLOBAL ID:201502211796477980
整理番号:15A0937247
PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性
Electrical properties of GIZO TFT with ultrathin Al2O3 insulators by PE-ALD method
著者 (6件):
栗島一徳
(明治大)
,
生田目俊秀
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
,
塚越一仁
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
,
大井暁彦
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
,
知京豊裕
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
,
小椋厚志
(明治大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
115
号:
108(SDM2015 38-56)
ページ:
69-73
発行年:
2015年06月12日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)