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文献
J-GLOBAL ID:201502211796477980   整理番号:15A0937247

PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性

Electrical properties of GIZO TFT with ultrathin Al2O3 insulators by PE-ALD method
著者 (6件):
栗島一徳
(明治大)
生田目俊秀
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
塚越一仁
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
大井暁彦
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
知京豊裕
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
小椋厚志
(明治大)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 115  号: 108(SDM2015 38-56)  ページ: 69-73  発行年: 2015年06月12日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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