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文献
J-GLOBAL ID：201502211805495961
整理番号：15A0870257
各種アルキル鎖長さを持つ自己組織化単分子層により改良したInGaZnO薄膜トランジスタ
InGaZnO Thin-Film Transistors Modified by Self-Assembled Monolayer With Different Alkyl Chain Length
XIAO Peng
(South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN)
,
LAN Linfeng
(South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN)
,
DONG Ting
(South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN)
,
LIN Zhenguo
(South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN)
,
SUN Sheng
(South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN)
,
SONG Wei
(South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN)
,
PENG Junbiao
(South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 36 号： 7 ページ： 687-689 発行年： 2015年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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