文献
J-GLOBAL ID:201502211922360503
整理番号:15A1149835
GaN-on-SiCトランジスタの熱的およびエレクトロルミネセンスマッピングの光学的分解能を増強するための固浸レンズ
Solid immersion lenses for enhancing the optical resolution of thermal and electroluminescence mapping of GaN-on-SiC transistors
著者 (2件):
POMEROY J. W.
(Center for Device Thermography and Reliability (CDTR), H.H. Wills Physics Lab., Univ. of Bristol, Bristol BS8 1TL, GBR)
,
KUBALL M.
(Center for Device Thermography and Reliability (CDTR), H.H. Wills Physics Lab., Univ. of Bristol, Bristol BS8 1TL, GBR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
118
号:
14
ページ:
144501-144501-9
発行年:
2015年10月14日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)