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文献
J-GLOBAL ID:201502211965062255   整理番号:15A1229603

GaNエピ層におけるEr発光中心の励起機構

Excitation mechanisms of Er optical centers in GaN epilayers
著者 (7件):
GEORGE D. K.
(Dep. of Physics, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
HAWKINS M. D.
(Dep. of Physics, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
MCLAREN M.
(Dep. of Physics, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
JIANG H. X.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA)
LIN J. Y.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA)
ZAVADA J. M.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, NYU Polytechnic School of Engineering, Brooklyn, New York 11201, USA)
VINH N. Q.
(Dep. of Physics, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 107  号: 17  ページ: 171105-171105-4  発行年: 2015年10月26日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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