文献
J-GLOBAL ID:201502211965062255
整理番号:15A1229603
GaNエピ層におけるEr発光中心の励起機構
Excitation mechanisms of Er optical centers in GaN epilayers
著者 (7件):
GEORGE D. K.
(Dep. of Physics, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
,
HAWKINS M. D.
(Dep. of Physics, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
,
MCLAREN M.
(Dep. of Physics, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
,
JIANG H. X.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA)
,
LIN J. Y.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA)
,
ZAVADA J. M.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, NYU Polytechnic School of Engineering, Brooklyn, New York 11201, USA)
,
VINH N. Q.
(Dep. of Physics, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
107
号:
17
ページ:
171105-171105-4
発行年:
2015年10月26日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)