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文献
J-GLOBAL ID：201502212053908842
整理番号：15A1215710
PbTiO_3の電子構造と伝導率に及ぼすNドーピングと酸素空格子点の効果【Powered by NICT】
The effects of N-doping and oxygen vacancy on the electronic structure and conductivity of PbTiO_3
Niu Peijiang
(School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong Univ., Yantai)
,
Yan Jinliang
(School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong Univ., Yantai)
,
Meng Delan
(School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong Univ., Yantai)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 36 号： 4 ページ： 043004-1-043004-6 発行年： 2015年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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