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文献
J-GLOBAL ID：201502212782194353
整理番号：15A0842549
相変化ランダムアクセスメモリ応用のためのプラズマ増強化学蒸着(PE-MOCVD)によって蒸着された非晶質GeTe膜における炭素含有量の制御
Control of carbon content in amorphous GeTe films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PE-MOCVD) for phase-change random access memory applications
AOUKAR M
(Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA)
,
AOUKAR M
(LTM, CNRS, Grenoble, FRA)
,
AOUKAR M
(LETI, CEA, Grenoble, FRA)
,
SZKUTNIK P D
(LTM, CNRS, Grenoble, FRA)
,
JOURDE D
(Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA)
,
JOURDE D
(LETI, CEA, Grenoble, FRA)
,
PELISSIER B
(LTM, CNRS, Grenoble, FRA)
,
MICHALLON P
(Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA)
,
MICHALLON P
(LETI, CEA, Grenoble, FRA)
,
NOE P
(Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA)
,
NOE P
(LETI, CEA, Grenoble, FRA)
,
VALLEE C
(Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA)
,
VALLEE C
(LTM, CNRS, Grenoble, FRA)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48 号： 26 ページ： 265203,1-10 発行年： 2015年07月08日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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