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文献
J-GLOBAL ID：201502212844944796
整理番号：15A1347431
オン抵抗とゲート電荷量を改善したSiCトレンチ型DMOS(TED MOS)の開発
Development of trench-etched double-diffused SiC MOS (TED MOS) for overcoming tradeoff between RonA and Qgd.
手賀直樹
(日立)
,
吉元広行
(日立)
,
久本大
(日立)
,
渡辺直樹
(日立)
,
清水悠佳
(日立)
,
佐藤慎太郎
(日立)
,
毛利友紀
(日立)
,
石垣隆士
(日立)
,
松村三江子
(日立)
,
小西くみこ
(日立)
,
小林慶亮
(日立)
,
秋山悟
(日立)
,
藤田隆誠
(日立)
,
島明生
(日立)
,
嶋本泰洋
(日立)
資料名：
電気学会電子デバイス研究会資料
(電気学会研究会資料)
巻： EDD-15 号： 87-105 ページ： 87-92 発行年： 2015年10月29日
JST資料番号： Z0910A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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