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文献
J-GLOBAL ID：201502213577860304
整理番号：15A0877739
(In)GaN接触層を使用することによるInGaN/GaNベースの発光ダイオードの順方向バイアス電圧の低下
Reducing forward bias voltage of InGaN/GaN-based light emitting diodes by using (In)GaN contact layer
KANG Daesung
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Gyeonggi, KOR)
,
KANG Daesung
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
HAN Younghun
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Gyeonggi, KOR)
,
KANG Donghun
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Gyeonggi, KOR)
,
KYOUNG Hyunai
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Gyeonggi, KOR)
,
JEONG Hwanhee
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Gyeonggi, KOR)
,
SONG June-O
(LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Gyeonggi, KOR)
,
KIM Dae-Hyun
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
SEONG Tae-Yeon
(Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54 号： 6 ページ： 062102.1-062102.5 発行年： 2015年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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