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文献
J-GLOBAL ID：201502213726137432
整理番号：15A1057613
有機金属気相エピタクシー(MOVPE)で成長させた高AlNモル比AlxGa1-xN多重量子井戸の井戸層中の適当なSiドーピングによるカチオン空格子点濃度の低減
Reduction in the concentration of cation vacancies by proper Si-doping in the well layers of high AlN mole fraction AlxGa1- xN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy
CHICHIBU S. F.
(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai 980-8577, JPN)
,
MIYAKE H.
(Graduate School of Regional Innovation Studies, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN)
,
ISHIKAWA Y.
(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai 980-8577, JPN)
,
FURUSAWA K.
(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai 980-8577, JPN)
,
HIRAMATSU K.
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 107 号： 12 ページ： 121602-121602-5 発行年： 2015年09月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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