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文献
J-GLOBAL ID:201502214416677573   整理番号:15A0772536

AlN/GaNヘテロ構造の発光特性に対するAlOx形成の影響

Impacts of AlOx formation on emission properties of AlN/GaN heterostructures
著者 (7件):
ONUMA Takeyoshi
(Tokyo National Coll. Technol., Tokyo, JPN)
ONUMA Takeyoshi
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
ONUMA Takeyoshi
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
SUGIURA Yohei
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
YAMAGUCHI Tomohiro
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
HONDA Tohru
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号:ページ: 052401.1-052401.3  発行年: 2015年05月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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