文献
J-GLOBAL ID:201502214416677573
整理番号:15A0772536
AlN/GaNヘテロ構造の発光特性に対するAlOx形成の影響
Impacts of AlOx formation on emission properties of AlN/GaN heterostructures
著者 (7件):
ONUMA Takeyoshi
(Tokyo National Coll. Technol., Tokyo, JPN)
,
ONUMA Takeyoshi
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
ONUMA Takeyoshi
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
SUGIURA Yohei
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
YAMAGUCHI Tomohiro
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
HONDA Tohru
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
8
号:
5
ページ:
052401.1-052401.3
発行年:
2015年05月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)