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文献
J-GLOBAL ID：201502214465546824
整理番号：15A1379089
SiO2におけるイオン注入法で合成したInNの構造およびフォノン特性
Structural and phonon properties of InN synthesized by ion implantation in SiO2
GRAINE R.
(Lab. LPR, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Annaba, BP 12, Annaba 23000, DZA)
,
GRAINE R.
(Centre de Developpement des Technologies Avancees, Unite de Rech. en Photonique et Optique (CDTA,URPO), Setif 19000, DZA)
,
CHEMAM R.
(Lab. LPR, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Annaba, BP 12, Annaba 23000, DZA)
,
GASMI F.Z.
(Lab. LPR, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Annaba, BP 12, Annaba 23000, DZA)
,
MULLER D.
(ICube, Univ. de Strasbourg UdS and CNRS (UMR7357), 23 rue du Loess, 67037 Strasbourg, FRA)
,
SCHMERBER G.
(Inst. de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 du CNRS, Univ. de Strasbourg UdS-ECPM, 23 ...)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 595 号： PA ページ： 108-112 発行年： 2015年11月30日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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