文献
J-GLOBAL ID:201502214465546824
整理番号:15A1379089
SiO2におけるイオン注入法で合成したInNの構造およびフォノン特性
Structural and phonon properties of InN synthesized by ion implantation in SiO2
著者 (6件):
GRAINE R.
(Lab. LPR, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Annaba, BP 12, Annaba 23000, DZA)
,
GRAINE R.
(Centre de Developpement des Technologies Avancees, Unite de Rech. en Photonique et Optique (CDTA,URPO), Setif 19000, DZA)
,
CHEMAM R.
(Lab. LPR, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Annaba, BP 12, Annaba 23000, DZA)
,
GASMI F.Z.
(Lab. LPR, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Annaba, BP 12, Annaba 23000, DZA)
,
MULLER D.
(ICube, Univ. de Strasbourg UdS and CNRS (UMR7357), 23 rue du Loess, 67037 Strasbourg, FRA)
,
SCHMERBER G.
(Inst. de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 du CNRS, Univ. de Strasbourg UdS-ECPM, 23 ...)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
595
号:
PA
ページ:
108-112
発行年:
2015年11月30日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)