文献
J-GLOBAL ID:201502214773096627
整理番号:15A0922315
固体電解質抵抗ランダムアクセスメモリに基づく電子シナプスデバイス
An Electronic Synapse Device Based on Solid Electrolyte Resistive Random Access Memory
著者 (15件):
ZHANG Wei
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
HU Ying
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
CHANG Ting-Chang
,
CHANG Kuan-Chang
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
TSAI Tsung-Ming
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHEN Hsin-Lu
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
SU Yu-Ting
,
CHU Tian-Jian
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHEN Min-Chen
,
HUANG Hui-Chun
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
SU Wan-Ching
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
ZHENG Jin-Cheng
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
HUNG Ya-Chi
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
SZE Simon M.
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
SZE Simon M.
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
36
号:
8
ページ:
772-774
発行年:
2015年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)