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文献
J-GLOBAL ID：201502214842908000
整理番号：15A0976420
不揮発性メモリデバイスのための導電性ポリマナノ構造薄膜による酸化グラフェン(GO)/還元GO及びその複合材料
Graphene oxide (GO)/reduced-GO and their composite with conducting polymer nanostructure thin films for non-volatile memory device
RAY Sekhar C.
(Dep. of Physics, Coll. of Sci., Engineering and Technol., Univ. of South Africa, Private Bag X6, Florida, 1710, Sci. ...)
,
BHUNIA Susanta Kumar
(Centre for Advanced Materials, Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Jadavpur, Kolkata 700032, IND)
,
SAHA Arindam
(Centre for Advanced Materials, Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Jadavpur, Kolkata 700032, IND)
,
JANA Nikhil R.
(Centre for Advanced Materials, Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Jadavpur, Kolkata 700032, IND)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 146 ページ： 48-52 発行年： 2015年10月01日
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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