文献
J-GLOBAL ID:201502214859635490
整理番号:15A1390488
Ge上のInAsナノワイヤの領域選択成長及び垂直トランジスタ応用
Selective-Area Growth of InAs Nanowires on Ge and Vertical Transistor Application
著者 (4件):
TOMIOKA Katsuhiro
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TOMIOKA Katsuhiro
(JST-PRESTO, Saitama, JPN)
,
IZHIZAKA Fumiya
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
FUKUI Takashi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
15
号:
11
ページ:
7253-7257
発行年:
2015年11月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)