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文献
J-GLOBAL ID：201502215040316376
整理番号：15A0841941
4H-SiCウエハの大気圧熱プラズマジェット熱処理の際の冷却速度の精密な制御による高効率不純物活性化
High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer
MARUYAMA Keisuke
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
HANAFUSA Hiroaki
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
ASHIHARA Ryuhei
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
HAYASHI Shohei
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MURAKAMI Hideki
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
HIGASHI Seiichiro
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54 号： 6S2 ページ： 06GC01.1-06GC01.8 発行年： 2015年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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