文献
J-GLOBAL ID:201502215906523570
整理番号:15A1140747
MOCVDによって成長させたAlInGaN/AlN/GaNヘテロ構造の構造品質に及ぼす成長温度の影響
The effect of growth temperature on structural quality of AlInGaN/AlN/GaN heterostructures grown by MOCVD
著者 (8件):
LOGANATHAN R.
(Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND)
,
BALAJI M.
(Univ. of Madras, Guindy Campus, National Centre for Nanoscience and Nanotechnology, 600 025, Chennai, IND)
,
PRABAKARAN K.
(Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND)
,
RAMESH R.
(Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND)
,
JAYASAKTHI M.
(Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND)
,
ARIVAZHAGAN P.
(Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND)
,
SINGH Shubra
(Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND)
,
BASKAR K.
(Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
26
号:
7
ページ:
5373-5380
発行年:
2015年07月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)