文献
J-GLOBAL ID:201502216083116326
整理番号:15A1046001
MOVPE成長したInAs/In0.5Ga0.2As量子井戸を有する494-GHz-fT高速InP系高電子移動度トランジスタ
494-GHz-fT high-speed InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well
著者 (3件):
MOUTAOUAKIL Amine El
(NTT Device Technol. Lab.)
,
SUGIYAMA Hiroki
(NTT Device Technol. Lab.)
,
MATSUZAKI Hideaki
(NTT Device Technol. Lab.)
資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻:
76th
ページ:
ROMBUNNO.14P-PB2-3
発行年:
2015年08月31日
JST資料番号:
Y0055B
ISSN:
2758-4704
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)