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文献
J-GLOBAL ID：201502216244513673
整理番号：15A1347433
電流コラプスフリーを実現する新ドレインホール注入型GaN-GITの開発
Development of Current-collapse-free GaN-GIT by utilizing Hole Injection from Drain
金子佐一郎
(パナソニックセミコンダクターソリューションズ)
,
黒田正行
(パナソニックセミコンダクターソリューションズ)
,
柳原学
(パナソニックセミコンダクターソリューションズ)
,
井腰文智
(パナソニックセミコンダクターソリューションズ)
,
大来英之
(パナソニックセミコンダクターソリューションズ)
,
引田正洋
(パナソニックセミコンダクターソリューションズ)
,
上本康裕
(パナソニックセミコンダクターソリューションズ)
,
高橋理
(パナソニックセミコンダクターソリューションズ)
,
森田竜夫
(パナソニック オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社)
,
田中健一郎
(パナソニック オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社)
,
上田哲三
(パナソニック オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社)
資料名：
電気学会電子デバイス研究会資料
(電気学会研究会資料)
巻： EDD-15 号： 87-105 ページ： 97-102 発行年： 2015年10月29日
JST資料番号： Z0910A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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