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文献
J-GLOBAL ID：201502216876676624
整理番号：15A1101533
負性静電容量対称二重ゲート電界効果トランジスタに対するキャリアベース解析理論とそのシミュレーション検証
A carrier-based analytical theory for negative capacitance symmetric double-gate field effect transistors and its simulation verification
JIANG Chunsheng
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
LIANG Renrong
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
WANG Jing
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
XU Jun
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48 号： 36 ページ： 365103,1-8 発行年： 2015年09月16日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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