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文献
J-GLOBAL ID：201502217188866432
整理番号：15A1407450
分子線エピタキシーを用いて成長させたScxGa1-xN薄膜の微細構造への金属の豊富な成長条件の効果
The effect of metal-rich growth conditions on the microstructure of ScxGa1-xN films grown using molecular beam epitaxy
TSUI H. C. L.
(Dep. of Materials, Imperial Coll. London, Exhibition Road, London, SW7 2AZ, GBR)
,
GOFF L. E.
,
BARRADAS N. P.
(CTN - Centro de Ciencias e Tecnologias Nucleares, Instituto Superior Tecnico, Universidade de Lisboa, E.N. 10 ao km ...)
,
ALVES E.
,
PEREIRA S.
(CICECO and Dep. of Physics, Universidade de Aveiro, 3810-193, Aveiro, PRT)
,
BEERE H. E.
(Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0HE, GBR)
,
FARRER I.
(Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0HE, GBR)
,
NICOLL C. A.
(Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0HE, GBR)
,
RITCHIE D. A.
(Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0HE, GBR)
,
MORAM M. A.
(Dep. of Materials, Imperial Coll. London, Exhibition Road, London, SW7 2AZ, GBR)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212 号： 12 ページ： 2837-2842 発行年： 2015年12月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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