文献
J-GLOBAL ID:201502217267103177
整理番号:15A1021770
シリコンP+-N接合中の欠陥関連ルミネセンス
Defect-related luminescence in silicon p +-n junctions
著者 (5件):
KUZMIN R. V.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
BAGRAEV N. T.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
BAGRAEV N. T.
(St. Petersburg State Polytechnical Univ., 195251, St. Petersburg, RUS)
,
KLYACHKIN L. E.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
MALYARENKO A. M.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
49
号:
9
ページ:
1222-1225
発行年:
2015年09月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)