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文献
J-GLOBAL ID：201502217328265230
整理番号：15A1040834
65nmCMOS技術における完全集積化26dBm線形化RF電力増幅器
A Fully Integrated 26 dBm Linearized RF Power Amplifier in 65 nm CMOS Technology
AHMAD Waqas
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
XU Leijun
(Jiangsu Univ., Zhenjiang, CHN)
,
TOERMAENEN Markus
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
SJOELAND Henrik
(Lund Univ., Lund, SWE)
資料名：
IEEE International Symposium on Circuits and Systems
(IEEE International Symposium on Circuits and Systems)
巻： 2015 Vol.3 ページ： 1306-1309 発行年： 2015年
JST資料番号： A0757A ISSN： 0271-4302 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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