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文献
J-GLOBAL ID：201502217434161176
整理番号：15A1284219
GaAs1-xNx気相エピタキシーに向けた模型としてのAs2,H2およびN2によるGaAs(100)表面安定性のab initio研究
Ab initio study of GaAs(100) surface stability over As2, H2 and N2 as a model for vapor-phase epitaxy of GaAs 1 - x N x
VALENCIA Hubert
(Res. Inst. for Applied Mechanics (RIAM), Kyushu Univ., 6-1, Kasuga-Koen, Kasuga Fukuoka 816-8580, JPN)
,
KANGAWA Yoshihiro
(Res. Inst. for Applied Mechanics (RIAM), Kyushu Univ., 6-1, Kasuga-Koen, Kasuga Fukuoka 816-8580, JPN)
,
KAKIMOTO Koichi
(Res. Inst. for Applied Mechanics (RIAM), Kyushu Univ., 6-1, Kasuga-Koen, Kasuga Fukuoka 816-8580, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 432 ページ： 6-14 発行年： 2015年12月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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