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文献
J-GLOBAL ID：201502217450546185
整理番号：15A1101217
0.18μm SiGe BiCMOS技術の低電力プログラマブル利得高PAE K-/Ka-帯域スタック増幅器
A Low Power Programmable Gain High PAE K-/Ka-Band Stacked Amplifier in 0.18 μm SiGe BiCMOS Technology
KUMAR Thangarasu Bharatha
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
MA Kaixue
(Univ. Electronic Sci. and Technol. of China, CHN)
,
YEO Kiat Seng
(Singapore Univ. Technol. and Design, Singapore)
資料名：
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
(IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2015 Vol.1 ページ： 283-286 発行年： 2015年
JST資料番号： A0636A ISSN： 0149-645X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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