文献
J-GLOBAL ID:201502218401528780
整理番号:15A1172213
CdTe量子ドット/p-Siヘテロ接合の電気伝導機構
Electrical conduction mechanisms of CdTe quantum dots/p-si heterojunction
著者 (4件):
EL-NAHASS M.M.
(Physics Dep., Fac. of Education, Ain Shams Univ., Roxy, P.O. 11757, Cairo, Egypt)
,
YOUSSEF G.M.
(Physics Dep., Fac. of Sci., Ain Shams Univ., Abbassia, P.O. 11566, Cairo, Egypt)
,
GAD S.A.
(Solid State Physics Dep., National Res. Centre, 33 El Bohouth St. (former El Tahrir st.), Dokki, P.O.12622, Giza, Egypt)
,
NOBY Sohaila Z.
(Solid State Physics Dep., National Res. Centre, 33 El Bohouth St. (former El Tahrir st.), Dokki, P.O.12622, Giza, Egypt)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
40
ページ:
337-343
発行年:
2015年12月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)