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文献
J-GLOBAL ID：201502218476130498
整理番号：15A0922309
高温ゲートリセス技術により製作した高RF性能エンハンスメントモードAl2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs
High RF Performance Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated With High-Temperature Gate-Recess Technique
HUANG Sen
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Xinyu
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
ZHANG Jinhan
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WEI Ke
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Guoguo
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Xinhua
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
ZHENG Yingkui
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Honggang
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
JIN Zhi
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
ZHAO Chao
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Cheng
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
LIU Shenghou
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
YANG Shu
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
ZHANG Jincheng
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
HAO Yue
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
CHEN Kevin J.
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 36 号： 8 ページ： 754-756 発行年： 2015年08月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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