文献
J-GLOBAL ID:201502218585381042
整理番号:15A0886672
メタライゼーションアニール後の金属/Al2O3/InGaAsゲートスタックのFermi準位ピン止め
Fermi level pinning in metal/Al2O3/InGaAs gate stack after post metallization annealing
著者 (7件):
WINTER R.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
,
KRYLOV I.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
,
CYTERMANN C.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
,
TANG K.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
,
AHN J.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
,
MCINTYRE P. C.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
,
EIZENBERG M.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
118
号:
5
ページ:
055302-055302-5
発行年:
2015年08月07日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)