文献
J-GLOBAL ID:201502218688629930
整理番号:15A1088819
Ga支援化学ビームエピタキシーによって成長したGaAsナノワイヤ:基板作製と成長速度
GaAs nanowires grown by Ga-assisted chemical beam epitaxy: Substrate preparation and growth kinetics
著者 (4件):
GARCIA Nunez C.
(Grupo de Electronica y Semiconductores, Dpto. Fisica Aplicada, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, ESP)
,
BRANA A.F.
(Grupo de Electronica y Semiconductores, Dpto. Fisica Aplicada, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, ESP)
,
LOPEZ N.
(Grupo de Electronica y Semiconductores, Dpto. Fisica Aplicada, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, ESP)
,
GARCIA B.J.
(Grupo de Electronica y Semiconductores, Dpto. Fisica Aplicada, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, ESP)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
430
ページ:
108-115
発行年:
2015年11月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)